新能源汽车电控系统对IGBT、SiC MOSFET等功率器件提出更高要求，选型需关注效率、散热与可靠性。

新能源汽车的电机控制器（MCU）、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等核心部件，都离不开功率半导体器件。随着电动车电压平台从400V向800V演进，IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET成为电控系统选型的焦点。

IGBT仍是主流

在400V平台中，IGBT凭借成熟的技术和成本优势，仍是电机控制器的主流选择。英飞凌、安森美、斯达半导、士兰微等厂商的IGBT模块广泛应用于A00级到B级车型。选型时需关注额定电压、额定电流、开关频率、饱和压降等参数。

SiC MOSFET加速渗透

在800V高压平台中，SiC MOSFET凭借更低的导通电阻、更高的开关频率和更好的高温特性，能够显著提升系统效率、缩小体积。虽然成本仍高于IGBT，但随着国产SiC衬底和器件产能释放，价格正在快速下降。

选型关键参数

  • 耐压等级：根据电池电压平台选择650V/750V/1200V；
  • 导通电阻Rdson：直接影响导通损耗；
  • 热阻与封装：决定散热设计难度；
  • 短路耐量：汽车应用必须满足一定短路能力。

恒科翔业电子可提供IGBT与SiC MOSFET样品及技术支持，协助新能源汽车客户完成电控系统选型。